英特尔首席执行官（Lip-Bu Tan）近日在摩根大通 TMT 大会上披露了公司最新制程路线图，宣布 14A 制程节点预计将在 2028 年进入风险试产（risk production），并在 2029 年迈入高容量量产阶段。
届时，不仅将内部大规模采用 14A 工艺，也将面向代工客户开放，支持大批量基于 High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）曝光的晶圆生产。陈立武表示，这一时间点与台积电预计推出的 A14 节点高度接近，双方将在“埃时代”半导体制造工艺上正面竞争。
根据英特尔方面介绍，相比此前经历坎坷的 18A 节点，14A 的研发推进节奏明显更为顺利，早期良率表现更好，制造流程也相对简化，有助于提升整体生产效率与可预期性。14A 将成为全球首个实际导入 ASML 高 NA EUV 光刻机的量产级制程节点，这类设备被视为迄今为止最复杂、最先进的芯片制造工具。当前 14A 工艺设计套件（PDK）已推进至 0.5 版本，英特尔预计将在今年 10 月向客户提供被陈立武称为“圣杯”的 0.9 版 PDK，届时芯片设计公司即可据此完成产品定型、设计收敛和产能规划。
在谈及更长远规划时，英特尔还首次公开确认将 10A 和 7A 节点纳入官方路线图，作为后续演进产品继续推进。陈立武指出，在完成 14A 试产和验证之后，公司将加速推进 10A 与 7A 的工艺开发，构建一条连续演进的制程技术路线，以满足自身处理器和加速器产品需求，同时为未来代工客户提供长期可预见的工艺选项。对于大型芯片客户而言，选择代工厂时往往会关注其面向未来多代节点的规划与执行力，英特尔希望在这方面建立起类似台积电的长期承诺和吸引力，让客户在评估未来产品时，能够将英特尔代工作为核心选项之一。
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